應用材料新沉積／蝕刻設備是什麼？GAA 與 3D NAND 製程突破解析

6 月 15 日，應用材料（Applied Materials）發布兩款面向先進半導體製造的新設備：Centris™ Spectral™ SiN ALD 與 Producer™ Selectra™ Mo Etch，分別對應三維結構中介電薄膜的精密沉積，以及金屬層的選擇性去除。這兩款系統並非概念原型，公司表示均已在頭部邏輯與記憶體晶片廠的先進節點量產線上部署。發布當日，應用材料股價收漲 3.27%，創下歷史新高。

應用材料半導體產品集團總裁 Dr. Prabu Raja 定義了這兩款產品的核心任務：在複雜三維架構中，找到精確沉積與選擇性去除材料的新方法，幫助客戶突破關鍵製程瓶頸。Centris™ Spectral™ SiN ALD 採用微波電漿（microwave plasma）技術，在高深寬比（high aspect ratio）三維結構中均勻沉積氮化矽（SiN）薄膜，服務 GAA（Gate-All-Around，全環繞閘極）邏輯製程的介電層需求；Producer™ Selectra™ Mo Etch 則用於 3D NAND 字線分離工藝的鉬（Mo）選擇性蝕刻，是記憶體堆疊層數能否繼續往上攀升的關鍵製程手段。兩款設備共同攻克的問題是高深寬比三維結構的良率瓶頸：從頂到底的縱向空間中材料分布一旦不均，就直接衝擊元件電學特性。

GAA 邏輯與高層數 3D NAND 是 AI 算力需求帶動下，半導體行業正在加速演進的兩條主路線；兩者都面臨相同的瓶頸：三維結構愈深，良率控制愈難。應用材料同時覆蓋這兩個場景，布局上沒有押注單一路線。更值得關注的是競爭框架本身的轉變：光刻長期主導先進製程能力的評比，而沉積與蝕刻正在成為另一個分化維度。應用材料也明確表示，隨著行業在 AI 計算領域持續突破，最重要的機遇正在往材料工程集中。這個訊號對 AI 硬體供應鏈的追蹤者不容忽視：3.27% 的單日漲幅加上新高，看起來是市場對這個轉變的初步計價。